人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
3期
421-424
,共4页
庞辉勇%赵广军%介明印%朱江%何晓明%徐军
龐輝勇%趙廣軍%介明印%硃江%何曉明%徐軍
방휘용%조엄군%개명인%주강%하효명%서군
YSO晶体%辐照%光谱%位错蚀坑%小角晶界
YSO晶體%輻照%光譜%位錯蝕坑%小角晶界
YSO정체%복조%광보%위착식갱%소각정계
本文采用中频感应提拉法成功生长了未掺杂的Y2SiO5(YSO)晶体,经过定向、切割、抛光后得到样品.经过腐蚀后,利用大视场显微镜和扫描电镜在样品表面上观察到了菱形和四边形的位错蚀坑、小角晶界和包裹物等缺陷;测试了经过氢气、空气退火前后,辐照前后YSO晶体的透过谱,结果表明:YSO晶体的吸收边大约在202nm,氢气退火后在200～300nm波段透过率增加,空气退火后透过率显著降低;辐照后,氢气退火的样品在200～500nm波段透过率显著降低.
本文採用中頻感應提拉法成功生長瞭未摻雜的Y2SiO5(YSO)晶體,經過定嚮、切割、拋光後得到樣品.經過腐蝕後,利用大視場顯微鏡和掃描電鏡在樣品錶麵上觀察到瞭蔆形和四邊形的位錯蝕坑、小角晶界和包裹物等缺陷;測試瞭經過氫氣、空氣退火前後,輻照前後YSO晶體的透過譜,結果錶明:YSO晶體的吸收邊大約在202nm,氫氣退火後在200～300nm波段透過率增加,空氣退火後透過率顯著降低;輻照後,氫氣退火的樣品在200～500nm波段透過率顯著降低.
본문채용중빈감응제랍법성공생장료미참잡적Y2SiO5(YSO)정체,경과정향、절할、포광후득도양품.경과부식후,이용대시장현미경화소묘전경재양품표면상관찰도료릉형화사변형적위착식갱、소각정계화포과물등결함;측시료경과경기、공기퇴화전후,복조전후YSO정체적투과보,결과표명:YSO정체적흡수변대약재202nm,경기퇴화후재200～300nm파단투과솔증가,공기퇴화후투과솔현저강저;복조후,경기퇴화적양품재200～500nm파단투과솔현저강저.
