固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2007年
3期
391-396
,共6页
邓焕%金荣华%陈俊%谢磊%曾晓洋%郭亚炜
鄧煥%金榮華%陳俊%謝磊%曾曉洋%郭亞煒
산환%금영화%진준%사뢰%증효양%곽아위
随机数发生器%振荡器%热噪声%抖动
隨機數髮生器%振盪器%熱譟聲%抖動
수궤수발생기%진탕기%열조성%두동
设计了一种应用于信息安全SoC平台的基于振荡器的高性能真随机数发生器,其利用放大的电阻热噪声来增大慢振荡器的抖动,使得前后两次采样相互独立,提高了序列的随机性能.采用T触发器采样消除快振荡器占空比偏差的影响.真随机数发生器采用TSMC 0.25 μm CMOS工艺,输出速率达4 Mbps,通过NIST FIPS 140-1和SP 800-22中的各项测试.芯片面积为0.09 mm2,工作电压为2.5V,功耗为4.15 mW.
設計瞭一種應用于信息安全SoC平檯的基于振盪器的高性能真隨機數髮生器,其利用放大的電阻熱譟聲來增大慢振盪器的抖動,使得前後兩次採樣相互獨立,提高瞭序列的隨機性能.採用T觸髮器採樣消除快振盪器佔空比偏差的影響.真隨機數髮生器採用TSMC 0.25 μm CMOS工藝,輸齣速率達4 Mbps,通過NIST FIPS 140-1和SP 800-22中的各項測試.芯片麵積為0.09 mm2,工作電壓為2.5V,功耗為4.15 mW.
설계료일충응용우신식안전SoC평태적기우진탕기적고성능진수궤수발생기,기이용방대적전조열조성래증대만진탕기적두동,사득전후량차채양상호독립,제고료서렬적수궤성능.채용T촉발기채양소제쾌진탕기점공비편차적영향.진수궤수발생기채용TSMC 0.25 μm CMOS공예,수출속솔체4 Mbps,통과NIST FIPS 140-1화SP 800-22중적각항측시.심편면적위0.09 mm2,공작전압위2.5V,공모위4.15 mW.
