碲锌镉单晶片的退火方法
제자력단정편적퇴화방법
Annealing of Cd1-xZnxTe Wafers
  • 万方数据
    功能材料与器件学报 공능재료여기건학보
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
    2008年 3期 575-579 ,共5页

    高德友%赵北君%朱世富%唐世红%何知宇%张冬敏%方军%程曦

    고덕우%조북군%주세부%당세홍%하지우%장동민%방군%정희

    碲锌镉单晶片%退火%电阻率%XRD%红外透射谱 碲鋅鎘單晶片%退火%電阻率%XRD%紅外透射譜
    제자력단정편%퇴화%전조솔%XRD%홍외투사보
    探索了一种Cd1-xZnxTe(CZT)探测器晶片退火的新装置和新方法,该装置可以方便有效的对CZT单晶片进行同组分源退火研究.利用XRD、红外透射谱和晶体电阻率表征了采用该装置在富Cd的同组分CZT粉末源包裹下,选择适宜的退火温度和时间进行退火后的CZT单晶片,晶片的电阻率有一定的提高,红外透过率有一定改善.XRD分析表明,经过退火后,CZT单晶片中的cd组分含量有一定增加.采用该方法退火后,晶体品质有一定提高.
    탐색료일충Cd1-xZnxTe(CZT)탐측기정편퇴화적신장치화신방법,해장치가이방편유효적대CZT단정편진행동조분원퇴화연구.이용XRD、홍외투사보화정체전조솔표정료채용해장치재부Cd적동조분CZT분말원포과하,선택괄의적퇴화온도화시간진행퇴화후적CZT단정편,정편적전조솔유일정적제고,홍외투과솔유일정개선.XRD분석표명,경과퇴화후,CZT단정편중적cd조분함량유일정증가.채용해방법퇴화후,정체품질유일정제고.
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