CAJ | 학술논문

采用脉冲激光沉积法在(0001)取向的GaN以及AlGaN/GaN调制掺杂结构上制备了(111)取向的BiFeO3(BFO)薄膜.首先在导电氧化物SrRuO3和TiO2缓冲层包覆的GaN上制备了BFO薄膜,分析了在GaN上生长的BFO薄膜的面外取向、外延关系、表面形貌以及电学性能等性质.然后,在AlGaN/GaN调制掺杂结构上采用TiO2缓冲层生长了BFO薄膜,并采用光刻工艺分别在AlGaN表面制备Ti/Al/Ti/Au欧姆电极和BFO表面制备Ni/Au肖特基电极以形成二极管结构.C-V测试表明,由于BFO铁电薄膜极化的作用,BFO/TiO2/AlGaN/GaN结构具有1 V左右的逆时针窗口.
채용맥충격광침적법재(0001)취향적GaN이급AlGaN/GaN조제참잡결구상제비료(111)취향적BiFeO3(BFO)박막.수선재도전양화물SrRuO3화TiO2완충층포복적GaN상제비료BFO박막,분석료재GaN상생장적BFO박막적면외취향、외연관계、표면형모이급전학성능등성질.연후,재AlGaN/GaN조제참잡결구상채용TiO2완충층생장료BFO박막,병채용광각공예분별재AlGaN표면제비Ti/Al/Ti/Au구모전겁화BFO표면제비Ni/Au초특기전겁이형성이겁관결구.C-V측시표명,유우BFO철전박막겁화적작용,BFO/TiO2/AlGaN/GaN결구구유1 V좌우적역시침창구.