深圳大学学报（理工版）
深圳大學學報（理工版）
심수대학학보（리공판）
JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)
2011年
2期
109-112
,共4页
武红磊%郑瑞生%孟姝%黄俊毅
武紅磊%鄭瑞生%孟姝%黃俊毅
무홍뢰%정서생%맹주%황준의
半导体材料%掺杂%第一性原理计算%氮化铝%受主能级%电阻率
半導體材料%摻雜%第一性原理計算%氮化鋁%受主能級%電阻率
반도체재료%참잡%제일성원리계산%담화려%수주능급%전조솔
采用碳受主和硅施主共掺杂的方法制备低电阻率p型氮化铝晶体.通过第一性原理计算预测碳硅共掺氮化铝的p型掺杂效率及碳硅合适掺杂比.计算结果表明,在氮化铝中由碳硅共掺形成的Cn-Si络合物(л=1,2,3,4)可以稳定存在,特别是在C2-Si络合物中碳受主电离能仅有0.19 eV,比单个碳受主低0.28 eV.利用碳硅共掺方法,在实验上制备出空穴浓度为1.4×1014cm-3、迁移率为52 cm2/(V·s)的p型氮化铝晶体.
採用碳受主和硅施主共摻雜的方法製備低電阻率p型氮化鋁晶體.通過第一性原理計算預測碳硅共摻氮化鋁的p型摻雜效率及碳硅閤適摻雜比.計算結果錶明,在氮化鋁中由碳硅共摻形成的Cn-Si絡閤物(л=1,2,3,4)可以穩定存在,特彆是在C2-Si絡閤物中碳受主電離能僅有0.19 eV,比單箇碳受主低0.28 eV.利用碳硅共摻方法,在實驗上製備齣空穴濃度為1.4×1014cm-3、遷移率為52 cm2/(V·s)的p型氮化鋁晶體.
채용탄수주화규시주공참잡적방법제비저전조솔p형담화려정체.통과제일성원리계산예측탄규공참담화려적p형참잡효솔급탄규합괄참잡비.계산결과표명,재담화려중유탄규공참형성적Cn-Si락합물(л=1,2,3,4)가이은정존재,특별시재C2-Si락합물중탄수주전리능부유0.19 eV,비단개탄수주저0.28 eV.이용탄규공참방법,재실험상제비출공혈농도위1.4×1014cm-3、천이솔위52 cm2/(V·s)적p형담화려정체.
