新型炭材料
新型炭材料
신형탄재료
NEW CARBON MATERIALS
2012年
4期
307-310
,共4页
姜宏伟%黄海亮%贾相华%尹龙承%陈玉强%彭鸿雁
薑宏偉%黃海亮%賈相華%尹龍承%陳玉彊%彭鴻雁
강굉위%황해량%가상화%윤룡승%진옥강%팽홍안
直流热阴极%CVD%间歇生长模式%金刚石膜
直流熱陰極%CVD%間歇生長模式%金剛石膜
직류열음겁%CVD%간헐생장모식%금강석막
采用直流热阴极PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法间歇生长模式制备金刚石膜,通过加入周期性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质,实现了金刚石膜生长的质量调控.间歇式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段,两个阶段交替进行.采用Raman光谱、SEM和XRD对所制金刚石膜的品质进行了表征,并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较.结果表明,当单个生长周期为30m in(沉积时间为20 min、刻蚀时间为10min)时,直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备的金刚石膜中的非金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜.
採用直流熱陰極PCVD( Plasma chemical vapor deposition)法間歇生長模式製備金剛石膜,通過加入週期性的刻蝕階段清除金剛石膜在一定生長期中形成的石墨和非晶碳等雜質,實現瞭金剛石膜生長的質量調控.間歇式生長過程分為沉積階段和刻蝕階段,兩箇階段交替進行.採用Raman光譜、SEM和XRD對所製金剛石膜的品質進行瞭錶徵,併與同樣生長條件下連續生長模式製備的金剛石膜樣品進行瞭比較.結果錶明,噹單箇生長週期為30m in(沉積時間為20 min、刻蝕時間為10min)時,直流熱陰極PCVD法間歇生長模式製備的金剛石膜中的非金剛石相雜質含量低于連續間歇生長模式製備的金剛石膜.
채용직류열음겁PCVD( Plasma chemical vapor deposition)법간헐생장모식제비금강석막,통과가입주기성적각식계단청제금강석막재일정생장기중형성적석묵화비정탄등잡질,실현료금강석막생장적질량조공.간헐식생장과정분위침적계단화각식계단,량개계단교체진행.채용Raman광보、SEM화XRD대소제금강석막적품질진행료표정,병여동양생장조건하련속생장모식제비적금강석막양품진행료비교.결과표명,당단개생장주기위30m in(침적시간위20 min、각식시간위10min)시,직류열음겁PCVD법간헐생장모식제비적금강석막중적비금강석상잡질함량저우련속간헐생장모식제비적금강석막.
