中小企业管理与科技
中小企業管理與科技
중소기업관리여과기
MANAGEMENT & TECHNOLOGY OF SME
2011年
9期
295-296
,共2页
MOS%电离辐射%阈值电压
MOS%電離輻射%閾值電壓
MOS%전리복사%역치전압
针对总剂量电离辐射效应对MOS器件的影响,研究了MOS器件中的电离损伤机制,MOS器件的SiO2氧化层中因为电离辐射而有沉积能量,使得氧化层电荷和界面态电荷在半导体(Si)表面感生出电荷,使SiO2/Si界面电势变化,从而导致MOS管的阈值电压漂移、跨导退化和漏极电流下降.
針對總劑量電離輻射效應對MOS器件的影響,研究瞭MOS器件中的電離損傷機製,MOS器件的SiO2氧化層中因為電離輻射而有沉積能量,使得氧化層電荷和界麵態電荷在半導體(Si)錶麵感生齣電荷,使SiO2/Si界麵電勢變化,從而導緻MOS管的閾值電壓漂移、跨導退化和漏極電流下降.
침대총제량전리복사효응대MOS기건적영향,연구료MOS기건중적전리손상궤제,MOS기건적SiO2양화층중인위전리복사이유침적능량,사득양화층전하화계면태전하재반도체(Si)표면감생출전하,사SiO2/Si계면전세변화,종이도치MOS관적역치전압표이、과도퇴화화루겁전류하강.
