发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
3期
266-271
,共6页
InGaN/GaN%极化效应%多量子阱%自发辐射谱
InGaN/GaN%極化效應%多量子阱%自髮輻射譜
InGaN/GaN%겁화효응%다양자정%자발복사보
通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱.计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率.同时,随着InGaN/GaN多量子阱结构阱层In组分的增多或阱层宽度的增加,极化效应带来的发光峰值波长红移效果进一步增强.
通過求解脩正的基于k·p方法的有效質量哈密頓方程併與泊鬆方程進行自洽,得到在極化效應影響下InGaN/GaN多量子阱的能帶結構和自髮輻射譜.計算結果錶明,極化效應使InGaN/GaN多量子阱結構的帶邊由方形勢變成三角形勢,使導帶和價帶間的帶隙寬度減小導緻髮光峰值波長紅移,併使電子和空穴的分佈產生空間分離從而減小髮光效率.同時,隨著InGaN/GaN多量子阱結構阱層In組分的增多或阱層寬度的增加,極化效應帶來的髮光峰值波長紅移效果進一步增彊.
통과구해수정적기우k·p방법적유효질량합밀돈방정병여박송방정진행자흡,득도재겁화효응영향하InGaN/GaN다양자정적능대결구화자발복사보.계산결과표명,겁화효응사InGaN/GaN다양자정결구적대변유방형세변성삼각형세,사도대화개대간적대극관도감소도치발광봉치파장홍이,병사전자화공혈적분포산생공간분리종이감소발광효솔.동시,수착InGaN/GaN다양자정결구정층In조분적증다혹정층관도적증가,겁화효응대래적발광봉치파장홍이효과진일보증강.
