半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
607-609,613
,共4页
砷化镓MMIC%模型%MIM电容%IC-CAP
砷化鎵MMIC%模型%MIM電容%IC-CAP
신화가MMIC%모형%MIM전용%IC-CAP
阐述了无源元件在MMIC设计中的重要性及MIM电容模型参数提取的几种方法.以简化的MIM电容等效电路为基础,通过IC-CAP建模软件,建立平板电容的等效模型模拟其电学特性.根据实测数据提取相关模型参数,同时与实际测试的MIM电容值进行对比,对ADS元件库中电容模型的关键参数做了修改和验证.经过在GaAs工艺线实际流片统计、验证,该模型在40 GHz以下实测的S参数与电磁仿真结果基本吻合,平板电容的误差控制在3%以内,可用于40 GHz以下CaAs MMIC的电路设计和仿真.
闡述瞭無源元件在MMIC設計中的重要性及MIM電容模型參數提取的幾種方法.以簡化的MIM電容等效電路為基礎,通過IC-CAP建模軟件,建立平闆電容的等效模型模擬其電學特性.根據實測數據提取相關模型參數,同時與實際測試的MIM電容值進行對比,對ADS元件庫中電容模型的關鍵參數做瞭脩改和驗證.經過在GaAs工藝線實際流片統計、驗證,該模型在40 GHz以下實測的S參數與電磁倣真結果基本吻閤,平闆電容的誤差控製在3%以內,可用于40 GHz以下CaAs MMIC的電路設計和倣真.
천술료무원원건재MMIC설계중적중요성급MIM전용모형삼수제취적궤충방법.이간화적MIM전용등효전로위기출,통과IC-CAP건모연건,건립평판전용적등효모형모의기전학특성.근거실측수거제취상관모형삼수,동시여실제측시적MIM전용치진행대비,대ADS원건고중전용모형적관건삼수주료수개화험증.경과재GaAs공예선실제류편통계、험증,해모형재40 GHz이하실측적S삼수여전자방진결과기본문합,평판전용적오차공제재3%이내,가용우40 GHz이하CaAs MMIC적전로설계화방진.
