膜科学与技术
膜科學與技術
막과학여기술
MEMBRANE SCIENCE AND TECHNOLOGY
2008年
4期
67-70
,共4页
赵庆宇%王爱芳%孔春龙%鲁金明%杨建华%王金渠
趙慶宇%王愛芳%孔春龍%魯金明%楊建華%王金渠
조경우%왕애방%공춘룡%로금명%양건화%왕금거
silicalite-1沸石膜%低模板剂%单组分气体渗透%分离系数
silicalite-1沸石膜%低模闆劑%單組分氣體滲透%分離繫數
silicalite-1비석막%저모판제%단조분기체삼투%분리계수
在较低的模板剂浓度下,采用二次生长法在大孔(孔径约4～6μm)α-Al2O3载体上合成Silicalite-1沸石膜,并采用x射线衍射法、扫描电子显微镜及不同温度下单组分气体渗透实验对所合成的沸石膜进行表征.结果表明,合成的是典型的Slicalite-1沸石膜,无其他杂质形成;制备的沸石膜连续、互生、致密,没有明显的缺陷.在40℃下H2的渗透速率为4.47×10-7 mol/(m2·s·Pa),H2/SF6的理想分离系数44,远高于其KnudSen扩散系数8.54.在40～200℃之间,H2/SF6的理想分离系数曲线呈V型,H2的渗透速率几乎不变,N2的渗透速率随温度升高略下降.
在較低的模闆劑濃度下,採用二次生長法在大孔(孔徑約4～6μm)α-Al2O3載體上閤成Silicalite-1沸石膜,併採用x射線衍射法、掃描電子顯微鏡及不同溫度下單組分氣體滲透實驗對所閤成的沸石膜進行錶徵.結果錶明,閤成的是典型的Slicalite-1沸石膜,無其他雜質形成;製備的沸石膜連續、互生、緻密,沒有明顯的缺陷.在40℃下H2的滲透速率為4.47×10-7 mol/(m2·s·Pa),H2/SF6的理想分離繫數44,遠高于其KnudSen擴散繫數8.54.在40～200℃之間,H2/SF6的理想分離繫數麯線呈V型,H2的滲透速率幾乎不變,N2的滲透速率隨溫度升高略下降.
재교저적모판제농도하,채용이차생장법재대공(공경약4～6μm)α-Al2O3재체상합성Silicalite-1비석막,병채용x사선연사법、소묘전자현미경급불동온도하단조분기체삼투실험대소합성적비석막진행표정.결과표명,합성적시전형적Slicalite-1비석막,무기타잡질형성;제비적비석막련속、호생、치밀,몰유명현적결함.재40℃하H2적삼투속솔위4.47×10-7 mol/(m2·s·Pa),H2/SF6적이상분리계수44,원고우기KnudSen확산계수8.54.재40～200℃지간,H2/SF6적이상분리계수곡선정V형,H2적삼투속솔궤호불변,N2적삼투속솔수온도승고략하강.
