吉林大学学报（理学版）
吉林大學學報（理學版）
길림대학학보（이학판）
JOURNAL OF JILIN UNIVERSITY(SCIENCE EDITION)
2008年
1期
123-125
,共3页
碳纳米管%氮%掺杂%电子结构
碳納米管%氮%摻雜%電子結構
탄납미관%담%참잡%전자결구
利用密度泛函第一原理研究不同氮掺杂方式(10,0)单壁碳纳米管的电子结构.当氮原子取代碳纳米管中的碳原子时,(10,0)单壁碳纳米管转变为n型半导体.当氮原子吸附在碳纳米管表面时,(10,0)单壁碳纳米管转变为p型半导体,同时与吸附氮原子相连碳原子的p轨道上的小部分电子被激发至d轨道上.
利用密度汎函第一原理研究不同氮摻雜方式(10,0)單壁碳納米管的電子結構.噹氮原子取代碳納米管中的碳原子時,(10,0)單壁碳納米管轉變為n型半導體.噹氮原子吸附在碳納米管錶麵時,(10,0)單壁碳納米管轉變為p型半導體,同時與吸附氮原子相連碳原子的p軌道上的小部分電子被激髮至d軌道上.
이용밀도범함제일원리연구불동담참잡방식(10,0)단벽탄납미관적전자결구.당담원자취대탄납미관중적탄원자시,(10,0)단벽탄납미관전변위n형반도체.당담원자흡부재탄납미관표면시,(10,0)단벽탄납미관전변위p형반도체,동시여흡부담원자상련탄원자적p궤도상적소부분전자피격발지d궤도상.
