光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2008年
1期
58-61
,共4页
闫海龙%钟向丽%王金斌%黄贵军%丁书龙%周功程
閆海龍%鐘嚮麗%王金斌%黃貴軍%丁書龍%週功程
염해룡%종향려%왕금빈%황귀군%정서룡%주공정
稀磁半导体(DMS)%晶体缺陷%化学气相沉积(CVD)%阴极射线发光(CL)
稀磁半導體(DMS)%晶體缺陷%化學氣相沉積(CVD)%陰極射線髮光(CL)
희자반도체(DMS)%정체결함%화학기상침적(CVD)%음겁사선발광(CL)
用化学气相沉积法(CVD),在生长温度为600、650和700 ℃条件下,未采用任何催化剂制备了Mn掺杂ZnO纳米棒.研究发现,随着生长温度的升高,样品中O空位的浓度逐渐增加.低浓度的O空位可以增强Mn掺杂ZnO纳米棒的铁磁性,但O空位浓度过高时,Mn掺杂ZnO纳米棒表现出超顺磁性或反铁磁性.在3个样品中,650 ℃的样品具有最好的室温铁磁性,其饱和磁化强度为0.85 μB/Mn,矫顽力为50 Oe.
用化學氣相沉積法(CVD),在生長溫度為600、650和700 ℃條件下,未採用任何催化劑製備瞭Mn摻雜ZnO納米棒.研究髮現,隨著生長溫度的升高,樣品中O空位的濃度逐漸增加.低濃度的O空位可以增彊Mn摻雜ZnO納米棒的鐵磁性,但O空位濃度過高時,Mn摻雜ZnO納米棒錶現齣超順磁性或反鐵磁性.在3箇樣品中,650 ℃的樣品具有最好的室溫鐵磁性,其飽和磁化彊度為0.85 μB/Mn,矯頑力為50 Oe.
용화학기상침적법(CVD),재생장온도위600、650화700 ℃조건하,미채용임하최화제제비료Mn참잡ZnO납미봉.연구발현,수착생장온도적승고,양품중O공위적농도축점증가.저농도적O공위가이증강Mn참잡ZnO납미봉적철자성,단O공위농도과고시,Mn참잡ZnO납미봉표현출초순자성혹반철자성.재3개양품중,650 ℃적양품구유최호적실온철자성,기포화자화강도위0.85 μB/Mn,교완력위50 Oe.
