电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2007年
11期
35-38
,共4页
贾洁%郑华%耿涛%黄念宁
賈潔%鄭華%耿濤%黃唸寧
가길%정화%경도%황념저
GaAs%PHEMT%欧姆接触%双源共蒸
GaAs%PHEMT%歐姆接觸%雙源共蒸
GaAs%PHEMT%구모접촉%쌍원공증
近年来,砷化镓器件的发展极为迅速.其中,欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一.为了提高GaAs PHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平,文章比较了三种常见的GaAs PHEMT器件欧姆接触制备技术的差异,分别是:分层蒸发、溅射+蒸发、双源共蒸.通过传输线模型(TLM)法测试数据以及微细形貌分析,得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳,因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAs PHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性.
近年來,砷化鎵器件的髮展極為迅速.其中,歐姆接觸的製作是器件研製的關鍵工藝之一.為瞭提高GaAs PHEMT器件歐姆接觸的性能和可靠性水平,文章比較瞭三種常見的GaAs PHEMT器件歐姆接觸製備技術的差異,分彆是:分層蒸髮、濺射+蒸髮、雙源共蒸.通過傳輸線模型(TLM)法測試數據以及微細形貌分析,得齣雙源共蒸工藝製備的歐姆接觸的電阻率和均勻性綜閤特性最佳,因此認為雙源共蒸技術在大呎吋GaAs PHEMT圓片工藝中具有最優的綜閤特性.
근년래,신화가기건적발전겁위신속.기중,구모접촉적제작시기건연제적관건공예지일.위료제고GaAs PHEMT기건구모접촉적성능화가고성수평,문장비교료삼충상견적GaAs PHEMT기건구모접촉제비기술적차이,분별시:분층증발、천사+증발、쌍원공증.통과전수선모형(TLM)법측시수거이급미세형모분석,득출쌍원공증공예제비적구모접촉적전조솔화균균성종합특성최가,인차인위쌍원공증기술재대척촌GaAs PHEMT원편공예중구유최우적종합특성.
