半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
88-90
,共3页
孙苋%王辉%王莉莉%刘文宝%江德生%杨辉
孫莧%王輝%王莉莉%劉文寶%江德生%楊輝
손현%왕휘%왕리리%류문보%강덕생%양휘
InN%MOCVD%Hall效应%吸收谱%PL谱
InN%MOCVD%Hall效應%吸收譜%PL譜
InN%MOCVD%Hall효응%흡수보%PL보
对采用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技术生长在GaN/Sapphire衬底上的InN薄膜进行了Hall、吸收谱以及低温光致发光(photoluminescence,PL)谱的测量和分析.Hall测量发现,样品的载流子浓度分布在1018～1019cm-3.在10K温度下进行PL测量,并对其线形进行分析,得到InN的带隙在0.7eV左右.综合Hall、吸收谱及PL谱的结果发现,吸收边以及PL谱的峰值能量都随载流子浓度的增加而蓝移.此外,我们还讨论了由吸收谱计算InN带隙的存在的不确定性.
對採用MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)技術生長在GaN/Sapphire襯底上的InN薄膜進行瞭Hall、吸收譜以及低溫光緻髮光(photoluminescence,PL)譜的測量和分析.Hall測量髮現,樣品的載流子濃度分佈在1018～1019cm-3.在10K溫度下進行PL測量,併對其線形進行分析,得到InN的帶隙在0.7eV左右.綜閤Hall、吸收譜及PL譜的結果髮現,吸收邊以及PL譜的峰值能量都隨載流子濃度的增加而藍移.此外,我們還討論瞭由吸收譜計算InN帶隙的存在的不確定性.
대채용MOCVD(metalorganic chemical vapor phase deposition)기술생장재GaN/Sapphire츤저상적InN박막진행료Hall、흡수보이급저온광치발광(photoluminescence,PL)보적측량화분석.Hall측량발현,양품적재류자농도분포재1018～1019cm-3.재10K온도하진행PL측량,병대기선형진행분석,득도InN적대극재0.7eV좌우.종합Hall、흡수보급PL보적결과발현,흡수변이급PL보적봉치능량도수재류자농도적증가이람이.차외,아문환토론료유흡수보계산InN대극적존재적불학정성.
