半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
115-118
,共4页
高玉竹%龚秀英%山口十六夫
高玉竹%龔秀英%山口十六伕
고옥죽%공수영%산구십륙부
熔体外延%截止波长%透射光谱%微观分布
鎔體外延%截止波長%透射光譜%微觀分佈
용체외연%절지파장%투사광보%미관분포
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8～12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄现象,并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构.
用鎔體外延法在InAs襯底上成功地生長瞭截止波長為8～12mm的InAs1-xSbx單晶.用紅外光譜儀測量瞭樣品的透射光譜.提齣瞭組分微觀分佈函數的概唸,併計算瞭InSb單晶和3種不同組分InAs1-xSbx樣品的透射光譜.結果錶明,實驗測得的樣品截止波長與計算得到的數據基本一緻,從而證實瞭鎔體外延法生長的InAs1-xSbx單晶的禁帶寬度變窄現象,併認為組分微觀分佈的不均勻性可能影響Ⅲ-Ⅴ族混晶的能帶結構.
용용체외연법재InAs츤저상성공지생장료절지파장위8～12mm적InAs1-xSbx단정.용홍외광보의측량료양품적투사광보.제출료조분미관분포함수적개념,병계산료InSb단정화3충불동조분InAs1-xSbx양품적투사광보.결과표명,실험측득적양품절지파장여계산득도적수거기본일치,종이증실료용체외연법생장적InAs1-xSbx단정적금대관도변착현상,병인위조분미관분포적불균균성가능영향Ⅲ-Ⅴ족혼정적능대결구.
