电瓷避雷器
電瓷避雷器
전자피뢰기
INSULATORS AND SURGE ARRESTERS
2007年
4期
24-27
,共4页
黄彩清%肖汉宁%洪秀成%成茵
黃綵清%肖漢寧%洪秀成%成茵
황채청%초한저%홍수성%성인
ZnO电阻片%硼酸%钇掺杂%电位梯度
ZnO電阻片%硼痠%釔摻雜%電位梯度
ZnO전조편%붕산%을참잡%전위제도
研究了在ZnO-Bi2O3-Sb2O3系ZnO电阻片中添加少量硼酸和掺杂0.2%～0.8%(摩尔分数)的氧化钇(Y2O3),其显微结构和电性能的变化情况.结果表明,随Y2O3掺杂量的增加,ZnO压敏电阻片的电位梯度从210 V/mm提高到422.5 V/mm;当掺杂量为0.6%(摩尔分数)时,电性能达到最佳,即残压比最小,为1.12;漏电流最小,为353.0μA.掺杂Y2O3使ZnO晶粒周围除了形成Zn7Sb2O12尖晶石外,还形成了具有细微颗粒的含钇相(Zn-Sb-Y-O)和含铋相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含钇相和含铋相的同时存在更加有效地抑制了ZnO晶粒的长大.添加硼酸和增加含钇相在很大程度上改善了ZnO电阻片的电性能.
研究瞭在ZnO-Bi2O3-Sb2O3繫ZnO電阻片中添加少量硼痠和摻雜0.2%～0.8%(摩爾分數)的氧化釔(Y2O3),其顯微結構和電性能的變化情況.結果錶明,隨Y2O3摻雜量的增加,ZnO壓敏電阻片的電位梯度從210 V/mm提高到422.5 V/mm;噹摻雜量為0.6%(摩爾分數)時,電性能達到最佳,即殘壓比最小,為1.12;漏電流最小,為353.0μA.摻雜Y2O3使ZnO晶粒週圍除瞭形成Zn7Sb2O12尖晶石外,還形成瞭具有細微顆粒的含釔相(Zn-Sb-Y-O)和含鉍相(Bi-Sb-O),尖晶石相、含釔相和含鉍相的同時存在更加有效地抑製瞭ZnO晶粒的長大.添加硼痠和增加含釔相在很大程度上改善瞭ZnO電阻片的電性能.
연구료재ZnO-Bi2O3-Sb2O3계ZnO전조편중첨가소량붕산화참잡0.2%～0.8%(마이분수)적양화을(Y2O3),기현미결구화전성능적변화정황.결과표명,수Y2O3참잡량적증가,ZnO압민전조편적전위제도종210 V/mm제고도422.5 V/mm;당참잡량위0.6%(마이분수)시,전성능체도최가,즉잔압비최소,위1.12;루전류최소,위353.0μA.참잡Y2O3사ZnO정립주위제료형성Zn7Sb2O12첨정석외,환형성료구유세미과립적함을상(Zn-Sb-Y-O)화함필상(Bi-Sb-O),첨정석상、함을상화함필상적동시존재경가유효지억제료ZnO정립적장대.첨가붕산화증가함을상재흔대정도상개선료ZnO전조편적전성능.
