半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
8期
653-656,676
,共5页
严诚%金戈%王益军%张正君%孙建宁%苏德坦
嚴誠%金戈%王益軍%張正君%孫建寧%囌德坦
엄성%금과%왕익군%장정군%손건저%소덕탄
微通道板%双面抛光%表面粗糙度%pH值
微通道闆%雙麵拋光%錶麵粗糙度%pH值
미통도판%쌍면포광%표면조조도%pH치
基于微通道板皮料、芯料、实体边玻璃材料的特点,分析了微通道板的双面抛光机理,研究了抛光工艺参数(抛光粉、抛光压力、抛光液pH值等)对MCP平面粗糙度、表面质量的影响,提出了微通道板的抛光工艺及参数:抛光粉应选择莫氏硬度为6、粒度为1.5μm的CeO2;抛光压力和时间按照特定的台阶式工艺进行.抛光液的pH值对MCP表面粗糙度有较明显的影响,pH值会随抛光时间延长而升高,宜控制在6～8.
基于微通道闆皮料、芯料、實體邊玻璃材料的特點,分析瞭微通道闆的雙麵拋光機理,研究瞭拋光工藝參數(拋光粉、拋光壓力、拋光液pH值等)對MCP平麵粗糙度、錶麵質量的影響,提齣瞭微通道闆的拋光工藝及參數:拋光粉應選擇莫氏硬度為6、粒度為1.5μm的CeO2;拋光壓力和時間按照特定的檯階式工藝進行.拋光液的pH值對MCP錶麵粗糙度有較明顯的影響,pH值會隨拋光時間延長而升高,宜控製在6～8.
기우미통도판피료、심료、실체변파리재료적특점,분석료미통도판적쌍면포광궤리,연구료포광공예삼수(포광분、포광압력、포광액pH치등)대MCP평면조조도、표면질량적영향,제출료미통도판적포광공예급삼수:포광분응선택막씨경도위6、립도위1.5μm적CeO2;포광압력화시간안조특정적태계식공예진행.포광액적pH치대MCP표면조조도유교명현적영향,pH치회수포광시간연장이승고,의공제재6～8.
