半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
878-882
,共5页
苏志国%许金通%陈俊%李向阳%刘骥%赵德刚
囌誌國%許金通%陳俊%李嚮暘%劉驥%趙德剛
소지국%허금통%진준%리향양%류기%조덕강
GaN%持续光电导%负光电导%负持续光电导
GaN%持續光電導%負光電導%負持續光電導
GaN%지속광전도%부광전도%부지속광전도
研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象.实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象.据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道.通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果.
研究瞭MOCVD方法製備的非故意摻雜n型GaN薄膜的持續光電導現象.實驗髮現樣品的光電導與入射光彊有密切的關繫,噹入射光彊由弱到彊變化時,樣品會依次齣現正常持續光電導(PPC)、負光電導(NPC)和負持續光電導(NPPC)現象.據知,這是首次在一箇樣品中僅僅通過改變入射光彊就可以依次產生以上現象的實驗報道.通過繫統的實驗分析和理論研究認為,該現象形成的主要原因是材料中深能級電子陷阱和空穴陷阱共同作用的結果.
연구료MOCVD방법제비적비고의참잡n형GaN박막적지속광전도현상.실험발현양품적광전도여입사광강유밀절적관계,당입사광강유약도강변화시,양품회의차출현정상지속광전도(PPC)、부광전도(NPC)화부지속광전도(NPPC)현상.거지,저시수차재일개양품중부부통과개변입사광강취가이의차산생이상현상적실험보도.통과계통적실험분석화이론연구인위,해현상형성적주요원인시재료중심능급전자함정화공혈함정공동작용적결과.
