材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2007年
z2期
37-38,44
,共3页
王全彪%杨瑞东%王茺%杨宇
王全彪%楊瑞東%王茺%楊宇
왕전표%양서동%왕충%양우
Si薄膜生长%动力学蒙特卡罗%岛密度%成岛温度
Si薄膜生長%動力學矇特卡囉%島密度%成島溫度
Si박막생장%동역학몽특잡라%도밀도%성도온도
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入射率下存在一最佳成岛温度,该温度随入射率的增大而升高,并满足函数关系T=T0+bln(F+c).
建立瞭Si(100)-(2×1)錶麵上Si薄膜生長的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,併對薄膜生長的初始階段進行瞭研究.結果錶明:在一定的入射率下存在一最佳成島溫度,該溫度隨入射率的增大而升高,併滿足函數關繫T=T0+bln(F+c).
건립료Si(100)-(2×1)표면상Si박막생장적Kinetic Monte Carlo(KMC)모형,병대박막생장적초시계단진행료연구.결과표명:재일정적입사솔하존재일최가성도온도,해온도수입사솔적증대이승고,병만족함수관계T=T0+bln(F+c).
