β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质
β-Ga2O3단정부구법생장급기광학성질
Floating zone technique growth of β-Ga2O3 single crystals and their optical properties
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2006年 3期 358-360,363 ,共4页

    张俊刚%夏长泰%吴锋%裴广庆%徐军%邓群%徐悟生%史宏生

    장준강%하장태%오봉%배엄경%서군%산군%서오생%사굉생

    浮区法%宽禁带半导体%β-Ga2O3单晶 浮區法%寬禁帶半導體%β-Ga2O3單晶
    부구법%관금대반도체%β-Ga2O3단정
    用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
    용부구법생장득도료관금대반도체재료β-Ga2O3단정,대기흡수광보、형광광보진행료분석.해석료금대부분전관적원인.병연구료Sn4+화Ti4+적참잡대기자외흡수변영향.β-Ga2O3단정적형광보불부관찰도료3개특정봉:자외광(395nm)、람광(471nm)、록광(559nm),환관찰도료재277화297nm적자외광화692nm적홍광형광발사.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문