固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2006年
1期
16-19
,共4页
X光激发电子能谱%氮化硅%二氧化硅-硅%氮化硅态的硅%剂量%偏置
X光激髮電子能譜%氮化硅%二氧化硅-硅%氮化硅態的硅%劑量%偏置
X광격발전자능보%담화규%이양화규-규%담화규태적규%제량%편치
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对Si3N4/SiO2/Si双界面系统进行了电离辐照剖面分析.实验结果表明:电离辐照能将SiO2和Si构成的界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面区Si3N4态(结合能B.E.101.8 eV)Si的浓度.同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si3N4态键断开有显著作用.文中就实验现象的机制进行了初步探讨.
採用氬離子刻蝕XPS(X光激髮電子能譜)分析對Si3N4/SiO2/Si雙界麵繫統進行瞭電離輻照剖麵分析.實驗結果錶明:電離輻照能將SiO2和Si構成的界麵區中心嚮Si3N4/SiO2界麵方嚮推移,同時SiO2/Si界麵區亦被電離輻照展寬.在同樣偏置電場中輻照,隨著輻照劑量的增加電離輻照相噹程度地減少位于SiO2/Si界麵區Si3N4態(結閤能B.E.101.8 eV)Si的濃度.同時輻照中所施偏置電場對SiO2/Si界麵區Si3N4態鍵斷開有顯著作用.文中就實驗現象的機製進行瞭初步探討.
채용아리자각식XPS(X광격발전자능보)분석대Si3N4/SiO2/Si쌍계면계통진행료전리복조부면분석.실험결과표명:전리복조능장SiO2화Si구성적계면구중심향Si3N4/SiO2계면방향추이,동시SiO2/Si계면구역피전리복조전관.재동양편치전장중복조,수착복조제량적증가전리복조상당정도지감소위우SiO2/Si계면구Si3N4태(결합능B.E.101.8 eV)Si적농도.동시복조중소시편치전장대SiO2/Si계면구Si3N4태건단개유현저작용.문중취실험현상적궤제진행료초보탐토.
