半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
12期
2411-2415
,共5页
陈海峰%马晓华%郝跃%曹艳荣%黄建方%王文博%李康
陳海峰%馬曉華%郝躍%曹豔榮%黃建方%王文博%李康
진해봉%마효화%학약%조염영%황건방%왕문박%리강
最大衬底电流应力%关态%带带遂穿%陷阱电荷%GIDL
最大襯底電流應力%關態%帶帶遂穿%陷阱電荷%GIDL
최대츤저전류응력%관태%대대수천%함정전하%GIDL
研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(gate-induced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.
研究瞭90nm工藝條件下的輕摻雜漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大襯底電流應力特性.在比較分析瞭連續不同電應力後LDD nMOSFET的GIDL(gate-induced drain leakage)電流變化後,髮現噹器件的柵氧厚度接近1nm,溝長接近100nm時,最大襯底電流應力不是電子註入應力,也不是電子和空穴的共同註入應力,而是一種空穴註入應力,併採用空穴應力註入實驗、負最大襯底電流應力實驗驗證瞭這一結論.
연구료90nm공예조건하적경참잡루(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET기건최대츤저전류응력특성.재비교분석료련속불동전응력후LDD nMOSFET적GIDL(gate-induced drain leakage)전류변화후,발현당기건적책양후도접근1nm,구장접근100nm시,최대츤저전류응력불시전자주입응력,야불시전자화공혈적공동주입응력,이시일충공혈주입응력,병채용공혈응력주입실험、부최대츤저전류응력실험험증료저일결론.
