物理学报
物理學報
물이학보
2003年
5期
1278-1281
,共4页
二次电子发射%Monte-Carlo模拟%近程碰撞%δ电子
二次電子髮射%Monte-Carlo模擬%近程踫撞%δ電子
이차전자발사%Monte-Carlo모의%근정팽당%δ전자
用Monte-Carlo方法模拟了高速He+离子入射到C,Cu和Al固体表面所诱发的电子发射.用这个程序计算了背向的电子发射产额,并且同时计算了近程碰撞对总的背向电子发射产额的贡献比例,对C,Cu和Al其值分别是0.5,0.55和0.42.对在近程碰撞中产生的高能δ电子(E＞10O eV)对背向电子发射行为的影响也进行了详尽地讨论,只有那些能量为几百个eV的δ电子对产额的贡献比例较大.对于C靶,δ电子对电子阻止本领最大值附近的二次电子发射行为会产生影响.计算所得到的电子发射产额与实验结果符合得很好.
用Monte-Carlo方法模擬瞭高速He+離子入射到C,Cu和Al固體錶麵所誘髮的電子髮射.用這箇程序計算瞭揹嚮的電子髮射產額,併且同時計算瞭近程踫撞對總的揹嚮電子髮射產額的貢獻比例,對C,Cu和Al其值分彆是0.5,0.55和0.42.對在近程踫撞中產生的高能δ電子(E＞10O eV)對揹嚮電子髮射行為的影響也進行瞭詳儘地討論,隻有那些能量為幾百箇eV的δ電子對產額的貢獻比例較大.對于C靶,δ電子對電子阻止本領最大值附近的二次電子髮射行為會產生影響.計算所得到的電子髮射產額與實驗結果符閤得很好.
용Monte-Carlo방법모의료고속He+리자입사도C,Cu화Al고체표면소유발적전자발사.용저개정서계산료배향적전자발사산액,병차동시계산료근정팽당대총적배향전자발사산액적공헌비례,대C,Cu화Al기치분별시0.5,0.55화0.42.대재근정팽당중산생적고능δ전자(E＞10O eV)대배향전자발사행위적영향야진행료상진지토론,지유나사능량위궤백개eV적δ전자대산액적공헌비례교대.대우C파,δ전자대전자조지본령최대치부근적이차전자발사행위회산생영향.계산소득도적전자발사산액여실험결과부합득흔호.
