半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
2期
56-57
,共2页
钟雨乐%刘伟平%黄君凯
鐘雨樂%劉偉平%黃君凱
종우악%류위평%황군개
电子辐照%非晶硅微晶化%太阳电池
電子輻照%非晶硅微晶化%太暘電池
전자복조%비정규미정화%태양전지
氢化非晶硅（α-Si:H）的结构弛豫是导致α-Si:H性能光诱导衰变的重要原因之一。用0.5MeV、注量1.3×1020e/cm2的电子束辐照，α-Si转化为微晶硅，不稳定的弱Si-Si键因断裂而减少。α-Si光电池的相应试验初步证实，合适的电子辐照可以缓解α-Si的结构弛豫现象。
氫化非晶硅（α-Si:H）的結構弛豫是導緻α-Si:H性能光誘導衰變的重要原因之一。用0.5MeV、註量1.3×1020e/cm2的電子束輻照，α-Si轉化為微晶硅，不穩定的弱Si-Si鍵因斷裂而減少。α-Si光電池的相應試驗初步證實，閤適的電子輻照可以緩解α-Si的結構弛豫現象。
경화비정규（α-Si:H）적결구이예시도치α-Si:H성능광유도쇠변적중요원인지일。용0.5MeV、주량1.3×1020e/cm2적전자속복조，α-Si전화위미정규，불은정적약Si-Si건인단렬이감소。α-Si광전지적상응시험초보증실，합괄적전자복조가이완해α-Si적결구이예현상。
