镶嵌在SiO2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射
양감재SiO2박막중InAs납미과립적Raman산사
RAMAN SCATTERING FROM InAs NANOCRYSTALS EMBEDDED IN SiO2 THIN FILMS
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2000年 11期 2304-2306 ,共3页

    朱开贵%石建中%邵庆益

    주개귀%석건중%소경익

    SiO2薄膜%InAs量子点%Raman散射 SiO2薄膜%InAs量子點%Raman散射
    SiO2박막%InAs양자점%Raman산사
    对镶嵌在SiO2薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究.与大块InAs晶体相比,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征,即由纵光学声子模和横光学声子模组成,但是散射峰宽化并红移.用声子限域效应解释了散射峰的红移现象,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异.
    대양감재SiO2박막중납미InAs과립적Raman산사보진행료연구.여대괴InAs정체상비,InAs납미과립적Raman산사보구유상사적특정,즉유종광학성자모화횡광학성자모조성,단시산사봉관화병홍이.용성자한역효응해석료산사봉적홍이현상,병결합InAs납미과립적응력효응해석료홍이량여이론치적차이.
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