半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
3期
28-32
,共5页
SIT%高频%功率增益%封装
SIT%高頻%功率增益%封裝
SIT%고빈%공솔증익%봉장
以对静电感应晶体管(SIT)的直流参数的研究为基础,详细研究了与SIT高频性能有关的参数的控制与调节.在高频状态下,器件引线寄生电感的影响变得严重,使得对器件的封装有了新的要求,本文对这一问题也进行了探讨.
以對靜電感應晶體管(SIT)的直流參數的研究為基礎,詳細研究瞭與SIT高頻性能有關的參數的控製與調節.在高頻狀態下,器件引線寄生電感的影響變得嚴重,使得對器件的封裝有瞭新的要求,本文對這一問題也進行瞭探討.
이대정전감응정체관(SIT)적직류삼수적연구위기출,상세연구료여SIT고빈성능유관적삼수적공제여조절.재고빈상태하,기건인선기생전감적영향변득엄중,사득대기건적봉장유료신적요구,본문대저일문제야진행료탐토.
