多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构
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Fabrication of Silicon-on-Insulator Structure with Si3N4 as Buried Insulating Films by Epitaxial Layer Transfer
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2003年 2期 189-193 ,共5页

    谢欣云%刘卫丽%门传玲%林青%沈勤我%林成鲁

    사흔운%류위려%문전령%림청%침근아%림성로

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    为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.
    위감소자가열효응,이용다공규외연전이기술성공지제비출일충이담화규위매층적SOI신결구.고분변솔투사전경화확전전조측시결과표명득도적SOI신결구구유흔호적결구화전학성능,퇴화후적담화규매층위비정결구.
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