华南理工大学学报(自然科学版)
華南理工大學學報(自然科學版)
화남리공대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOLGY
2001年
12期
31-33
,共3页
量子阱%杂质态%龙格-库塔法
量子阱%雜質態%龍格-庫塔法
양자정%잡질태%룡격-고탑법
半导体量子阱的杂质离子可以位于量子阱的中心或偏离中心一定的距离d.本文用打靶法求解薛定谔方程,研究施主杂质的能谱随d的变化,发现具有相同角动量的能态具有相似的变化规律.
半導體量子阱的雜質離子可以位于量子阱的中心或偏離中心一定的距離d.本文用打靶法求解薛定諤方程,研究施主雜質的能譜隨d的變化,髮現具有相同角動量的能態具有相似的變化規律.
반도체양자정적잡질리자가이위우양자정적중심혹편리중심일정적거리d.본문용타파법구해설정악방정,연구시주잡질적능보수d적변화,발현구유상동각동량적능태구유상사적변화규률.
