材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2002年
1期
83-87
,共5页
姚素薇%赵转清%张卫国%龚正烈
姚素薇%趙轉清%張衛國%龔正烈
요소미%조전청%장위국%공정렬
Ni-Mo/p-Si%纳米晶%催化析氢%光照
Ni-Mo/p-Si%納米晶%催化析氫%光照
Ni-Mo/p-Si%납미정%최화석경%광조
在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜.制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层,用SEM对膜层进行了表征.测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线.纳米晶Ni-Mo/p-Si镀层的催化析氢性能较好测量了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线.结果表明.Ni-Mo颗粒尺寸在40～100mm时.光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约160mV(电流密度为8 mA.cm-2),催化析氢活性显著提高
在半導體p型Si上恆電流沉積納米晶和非晶Ni-Mo閤金薄膜.製備齣Ni-Mo閤金脩飾的半導體p型Si電極鍍層,用SEM對膜層進行瞭錶徵.測量瞭兩種電極鍍層的陰極催化析氫麯線.納米晶Ni-Mo/p-Si鍍層的催化析氫性能較好測量瞭光照下納米晶Ni-Mo/p-Si電極的催化析氫麯線.結果錶明.Ni-Mo顆粒呎吋在40～100mm時.光照下電極的析氫過電位比無光照減小瞭約160mV(電流密度為8 mA.cm-2),催化析氫活性顯著提高
재반도체p형Si상항전류침적납미정화비정Ni-Mo합금박막.제비출Ni-Mo합금수식적반도체p형Si전겁도층,용SEM대막층진행료표정.측량료량충전겁도층적음겁최화석경곡선.납미정Ni-Mo/p-Si도층적최화석경성능교호측량료광조하납미정Ni-Mo/p-Si전겁적최화석경곡선.결과표명.Ni-Mo과립척촌재40～100mm시.광조하전겁적석경과전위비무광조감소료약160mV(전류밀도위8 mA.cm-2),최화석경활성현저제고
