纳电子器件谐振隧道二极管的研制
납전자기건해진수도이겁관적연제
Fabrication of Nanoelectronic Resonant Tunneling Diodes
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2002年 1期 91-94 ,共4页

    梁惠来%赵振波%郭维廉%张世林%牛萍娟%杨中月%郝景臣%张豫黔%王文君%魏碧华%周均铭%王文新

    량혜래%조진파%곽유렴%장세림%우평연%양중월%학경신%장예검%왕문군%위벽화%주균명%왕문신

    纳电子器件%谐振隧道二极管%砷化镓 納電子器件%諧振隧道二極管%砷化鎵
    납전자기건%해진수도이겁관%신화가
    采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管(RTD),有相当好的I-V特性.对于5μm×5μm的RTD器件,在室温条件下,测得其峰谷比最大可到7.6∶1,最高振荡频率大于26GHz.
    채용분자속외연방법재신화가츤저상생장료쌍루단정결구,연후용상규반도체기건공예제성료해진수천이겁관(RTD),유상당호적I-V특성.대우5μm×5μm적RTD기건,재실온조건하,측득기봉곡비최대가도7.6∶1,최고진탕빈솔대우26GHz.
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