半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
10期
1320-1324
,共5页
张海鹏%魏同立%冯耀兰%姚炜%宋安飞
張海鵬%魏同立%馮耀蘭%姚煒%宋安飛
장해붕%위동립%풍요란%요위%송안비
PDSOINMOSFET%翘曲效应%温度解析模型%动态平衡
PDSOINMOSFET%翹麯效應%溫度解析模型%動態平衡
PDSOINMOSFET%교곡효응%온도해석모형%동태평형
报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.
報道瞭一箇部分耗儘(PD)SOI NMOSFET翹麯效應的溫度解析模型.該模型從PD SOI NMOSFET器件的物理結構,即由頂部的NMOSFET和底部的寄生BJT構成這一特點齣髮,以一定溫度下PD SOI NMOSFET體-射結電流與漏-體結電流的動態平衡為覈心,採用解析迭代方法求解,得齣漏-體結踫撞電離產生的空穴在體區中近源耑積纍達到飽和時的體-射結電壓,及漏-體結和體-射結電流的各主要分量,進而得到瞭PD SOI NMOSFET翹麯效應漏電流的溫度解析模型,併將一定條件下的模擬結果與實驗結果進行瞭比較,二者吻閤得很好.
보도료일개부분모진(PD)SOI NMOSFET교곡효응적온도해석모형.해모형종PD SOI NMOSFET기건적물리결구,즉유정부적NMOSFET화저부적기생BJT구성저일특점출발,이일정온도하PD SOI NMOSFET체-사결전류여루-체결전류적동태평형위핵심,채용해석질대방법구해,득출루-체결팽당전리산생적공혈재체구중근원단적루체도포화시적체-사결전압,급루-체결화체-사결전류적각주요분량,진이득도료PD SOI NMOSFET교곡효응루전류적온도해석모형,병장일정조건하적모의결과여실험결과진행료비교,이자문합득흔호.
