发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
1期
69-74
,共6页
张敬东%于彤军%杨志坚%阎和平%张宁%穆森%张国义
張敬東%于彤軍%楊誌堅%閻和平%張寧%穆森%張國義
장경동%우동군%양지견%염화평%장저%목삼%장국의
紫光LED%氧化镓%反射率%欧姆接触
紫光LED%氧化鎵%反射率%歐姆接觸
자광LED%양화가%반사솔%구모접촉
研究用于GaN基大功率倒装焊( Flip-chip ) 紫光LED(UV-LED)的高反射率p型欧姆接触的电学和光学性能.用磁控溅射的方法在GaN基LED外延片表面沉积了不同厚度Ag,Al,Au和Pd四种金属,测量了样品的反射率和透射率.结合同步辐射高强度X射线衍射和AFM对金属薄膜的晶体结构进行分析,并对表面形貌进行了观测, 对由金属薄膜构成的多层膜结构及其对光反射率的作用机理进行了研究.测量结果表明,在入射光波长为400 nm时,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al电极的反射率比Ni/Au的反射率提高了三倍.同时与p-GaN有良好的欧姆接触特性.
研究用于GaN基大功率倒裝銲( Flip-chip ) 紫光LED(UV-LED)的高反射率p型歐姆接觸的電學和光學性能.用磁控濺射的方法在GaN基LED外延片錶麵沉積瞭不同厚度Ag,Al,Au和Pd四種金屬,測量瞭樣品的反射率和透射率.結閤同步輻射高彊度X射線衍射和AFM對金屬薄膜的晶體結構進行分析,併對錶麵形貌進行瞭觀測, 對由金屬薄膜構成的多層膜結構及其對光反射率的作用機理進行瞭研究.測量結果錶明,在入射光波長為400 nm時,Ni/Au/Ag和Ni/Au/Al電極的反射率比Ni/Au的反射率提高瞭三倍.同時與p-GaN有良好的歐姆接觸特性.
연구용우GaN기대공솔도장한( Flip-chip ) 자광LED(UV-LED)적고반사솔p형구모접촉적전학화광학성능.용자공천사적방법재GaN기LED외연편표면침적료불동후도Ag,Al,Au화Pd사충금속,측량료양품적반사솔화투사솔.결합동보복사고강도X사선연사화AFM대금속박막적정체결구진행분석,병대표면형모진행료관측, 대유금속박막구성적다층막결구급기대광반사솔적작용궤리진행료연구.측량결과표명,재입사광파장위400 nm시,Ni/Au/Ag화Ni/Au/Al전겁적반사솔비Ni/Au적반사솔제고료삼배.동시여p-GaN유량호적구모접촉특성.
