半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
5期
948-954
,共7页
吴晓波%张永良%章丹艳%严晓浪
吳曉波%張永良%章丹豔%嚴曉浪
오효파%장영량%장단염%엄효랑
热插拔%过流保护%过压保护%欠压锁定电路%BCD工艺
熱插拔%過流保護%過壓保護%欠壓鎖定電路%BCD工藝
열삽발%과류보호%과압보호%흠압쇄정전로%BCD공예
为保证系统在热插拔过程中安全工作,避免因之导致系统崩溃及系统与部件的损坏,提出一种热插拔控制芯片的设计.针对热插拔过程中可能产生的浪涌电流和过流、过压等故障现象,芯片设计中设置了多重保护功能,包括自动限制启动电流,过流时切断电路以及过压时断电,长时过压触发SCR为负载提供撬棒保护等.另外,设计了低压诊断、负载电压等检测功能.由于芯片工作中涉及较高电压和较大电流,电路采用BCD工艺(bipolar-CMOS-DMOS)实现,并对系统、电路和版图进行了优化.制得的芯片面积约为2.5mm×2.0mm,可在4.5～16.5V电压范围内正常工作,12.0V电源电压下芯片功耗约为18mW.对芯片的测试结果表明,所设计的电路功能和特性已成功实现.
為保證繫統在熱插拔過程中安全工作,避免因之導緻繫統崩潰及繫統與部件的損壞,提齣一種熱插拔控製芯片的設計.針對熱插拔過程中可能產生的浪湧電流和過流、過壓等故障現象,芯片設計中設置瞭多重保護功能,包括自動限製啟動電流,過流時切斷電路以及過壓時斷電,長時過壓觸髮SCR為負載提供撬棒保護等.另外,設計瞭低壓診斷、負載電壓等檢測功能.由于芯片工作中涉及較高電壓和較大電流,電路採用BCD工藝(bipolar-CMOS-DMOS)實現,併對繫統、電路和版圖進行瞭優化.製得的芯片麵積約為2.5mm×2.0mm,可在4.5～16.5V電壓範圍內正常工作,12.0V電源電壓下芯片功耗約為18mW.對芯片的測試結果錶明,所設計的電路功能和特性已成功實現.
위보증계통재열삽발과정중안전공작,피면인지도치계통붕궤급계통여부건적손배,제출일충열삽발공제심편적설계.침대열삽발과정중가능산생적랑용전류화과류、과압등고장현상,심편설계중설치료다중보호공능,포괄자동한제계동전류,과류시절단전로이급과압시단전,장시과압촉발SCR위부재제공효봉보호등.령외,설계료저압진단、부재전압등검측공능.유우심편공작중섭급교고전압화교대전류,전로채용BCD공예(bipolar-CMOS-DMOS)실현,병대계통、전로화판도진행료우화.제득적심편면적약위2.5mm×2.0mm,가재4.5～16.5V전압범위내정상공작,12.0V전원전압하심편공모약위18mW.대심편적측시결과표명,소설계적전로공능화특성이성공실현.
