固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
2期
220-223,270
,共5页
张云珠%翁强%吴建辉%张萌%闫道中
張雲珠%翁彊%吳建輝%張萌%閆道中
장운주%옹강%오건휘%장맹%염도중
下变频混频器%Gilbert%线性度
下變頻混頻器%Gilbert%線性度
하변빈혼빈기%Gilbert%선성도
采用正交反馈的跨导级设计了一种基于数字电视调谐芯片中的高线性度的下变频混频器,该混频器在3.3V的工作电压下,采用改进的Gilbert单元,使用基于Chartered 0.25μm标准CMOS工艺进行流片测试,结果表明该混频器IIP3可达到15dBm,增益达到9dB.
採用正交反饋的跨導級設計瞭一種基于數字電視調諧芯片中的高線性度的下變頻混頻器,該混頻器在3.3V的工作電壓下,採用改進的Gilbert單元,使用基于Chartered 0.25μm標準CMOS工藝進行流片測試,結果錶明該混頻器IIP3可達到15dBm,增益達到9dB.
채용정교반궤적과도급설계료일충기우수자전시조해심편중적고선성도적하변빈혼빈기,해혼빈기재3.3V적공작전압하,채용개진적Gilbert단원,사용기우Chartered 0.25μm표준CMOS공예진행류편측시,결과표명해혼빈기IIP3가체도15dBm,증익체도9dB.
