电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
8期
28-29,38
,共3页
无机非金属材料%Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3%SnO2%Nb2O5%介电性能
無機非金屬材料%Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3%SnO2%Nb2O5%介電性能
무궤비금속재료%Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3%SnO2%Nb2O5%개전성능
采用传统固相法,制备了Nb2O5掺杂的Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3(BSTS)介电陶瓷,研究了Sn4+加入量和掺杂Nb2O5对材料介电性能的影响,用SEM研究了SnO2对材料微观结构的影响,当x(SnO2)为0.010, x(Nb2O5)为0.008时制得了εr为3 689,tanδ为0.000 6的高压低损耗陶瓷电容器瓷料,探讨了二者改性作用的机理.
採用傳統固相法,製備瞭Nb2O5摻雜的Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3(BSTS)介電陶瓷,研究瞭Sn4+加入量和摻雜Nb2O5對材料介電性能的影響,用SEM研究瞭SnO2對材料微觀結構的影響,噹x(SnO2)為0.010, x(Nb2O5)為0.008時製得瞭εr為3 689,tanδ為0.000 6的高壓低損耗陶瓷電容器瓷料,探討瞭二者改性作用的機理.
채용전통고상법,제비료Nb2O5참잡적Ba0.68Sr0.32Ti1-xSnxO3(BSTS)개전도자,연구료Sn4+가입량화참잡Nb2O5대재료개전성능적영향,용SEM연구료SnO2대재료미관결구적영향,당x(SnO2)위0.010, x(Nb2O5)위0.008시제득료εr위3 689,tanδ위0.000 6적고압저손모도자전용기자료,탐토료이자개성작용적궤리.
