科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2008年
16期
4664-4666
,共3页
单电子晶体管%主方程法%伏安特性
單電子晶體管%主方程法%伏安特性
단전자정체관%주방정법%복안특성
基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET-CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义.
基于主方程法,把單電子晶體管的穩定狀態數簡化為3箇狀態,得到瞭一箇簡捷模擬新方法,通過倣真與分析,這種新模擬方法模擬單電子晶體管I-V特性,具有閤理的精確度,可用來分析SET-CMOS混閤電路,這對數字邏輯電路的構造分析具有十分重要的意義.
기우주방정법,파단전자정체관적은정상태수간화위3개상태,득도료일개간첩모의신방법,통과방진여분석,저충신모의방법모의단전자정체관I-V특성,구유합리적정학도,가용래분석SET-CMOS혼합전로,저대수자라집전로적구조분석구유십분중요적의의.
