真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2009年
1期
26-30
,共5页
赵艳艳%徐军%丁万昱%张明明%陆文琪
趙豔豔%徐軍%丁萬昱%張明明%陸文琪
조염염%서군%정만욱%장명명%륙문기
SiCN薄膜%微波-ECR等离子体%化学结构%杂质
SiCN薄膜%微波-ECR等離子體%化學結構%雜質
SiCN박막%미파-ECR등리자체%화학결구%잡질
利用微波ECR等离子体增强非平衡磁控溅射法制备了硅碳氮(SiCN)薄膜,并利用X射线光电子能谱、扫描电镜、椭偏光谱仪等对薄膜成分、结构、性能等进行表征.结果表明薄膜中O杂质含量及其结合态对薄膜的化学结构和机械性能都产生了很大影响.Si靶溅射功率最低时(100W),薄膜中O杂质含量高达10.63%,以Si-O键结构为主,此时薄膜的疏松结构导致大气环境下O的化学吸附是O杂质的主要来源;在高Si靶溅射功率情况下(＞250W),薄膜中O杂质含量低于4%,且以C-O键结构为主,薄膜致密,硬度最高达29.1GPa、折射率可达2.43.
利用微波ECR等離子體增彊非平衡磁控濺射法製備瞭硅碳氮(SiCN)薄膜,併利用X射線光電子能譜、掃描電鏡、橢偏光譜儀等對薄膜成分、結構、性能等進行錶徵.結果錶明薄膜中O雜質含量及其結閤態對薄膜的化學結構和機械性能都產生瞭很大影響.Si靶濺射功率最低時(100W),薄膜中O雜質含量高達10.63%,以Si-O鍵結構為主,此時薄膜的疏鬆結構導緻大氣環境下O的化學吸附是O雜質的主要來源;在高Si靶濺射功率情況下(＞250W),薄膜中O雜質含量低于4%,且以C-O鍵結構為主,薄膜緻密,硬度最高達29.1GPa、摺射率可達2.43.
이용미파ECR등리자체증강비평형자공천사법제비료규탄담(SiCN)박막,병이용X사선광전자능보、소묘전경、타편광보의등대박막성분、결구、성능등진행표정.결과표명박막중O잡질함량급기결합태대박막적화학결구화궤계성능도산생료흔대영향.Si파천사공솔최저시(100W),박막중O잡질함량고체10.63%,이Si-O건결구위주,차시박막적소송결구도치대기배경하O적화학흡부시O잡질적주요래원;재고Si파천사공솔정황하(＞250W),박막중O잡질함량저우4%,차이C-O건결구위주,박막치밀,경도최고체29.1GPa、절사솔가체2.43.
