半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
5期
351-354,366
,共5页
房玉龙%敦少博%尹甲运%张效玮%冯志红%蔡树军
房玉龍%敦少博%尹甲運%張效瑋%馮誌紅%蔡樹軍
방옥룡%돈소박%윤갑운%장효위%풍지홍%채수군
GaN基高电子迁移率晶体管%逆压电效应%可靠性%弹性势能%压电本构方程
GaN基高電子遷移率晶體管%逆壓電效應%可靠性%彈性勢能%壓電本構方程
GaN기고전자천이솔정체관%역압전효응%가고성%탄성세능%압전본구방정
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键,逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一.对于GaN基HEMT器件,当其承受外加电场时,由于逆压电效应,电场最终转化成弹性势能.当电场足够大,突破势垒层材料所能承受的临界弹性势能,势垒层材料就会发生松弛.根据逆压电效应导致器件退化机理,从弹性势能的角度出发,对低Al组分A1GaN势垒层、InAlN势垒层和AlGaN背势垒等三种结构进行理论分析.分析表明,三种结构均能较大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆压电能力,从而提高器件可靠性.
可靠性問題是GaN基HEMT器件走嚮實用化的關鍵,逆壓電效應導緻器件退化是近年來比較引人矚目的理論之一.對于GaN基HEMT器件,噹其承受外加電場時,由于逆壓電效應,電場最終轉化成彈性勢能.噹電場足夠大,突破勢壘層材料所能承受的臨界彈性勢能,勢壘層材料就會髮生鬆弛.根據逆壓電效應導緻器件退化機理,從彈性勢能的角度齣髮,對低Al組分A1GaN勢壘層、InAlN勢壘層和AlGaN揹勢壘等三種結構進行理論分析.分析錶明,三種結構均能較大程度地改善GaN基HEMT器件的抗逆壓電能力,從而提高器件可靠性.
가고성문제시GaN기HEMT기건주향실용화적관건,역압전효응도치기건퇴화시근년래비교인인촉목적이론지일.대우GaN기HEMT기건,당기승수외가전장시,유우역압전효응,전장최종전화성탄성세능.당전장족구대,돌파세루층재료소능승수적림계탄성세능,세루층재료취회발생송이.근거역압전효응도치기건퇴화궤리,종탄성세능적각도출발,대저Al조분A1GaN세루층、InAlN세루층화AlGaN배세루등삼충결구진행이론분석.분석표명,삼충결구균능교대정도지개선GaN기HEMT기건적항역압전능력,종이제고기건가고성.
