发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
7期
780-784
,共5页
谢正芳%单文光%吴小山%张凤鸣
謝正芳%單文光%吳小山%張鳳鳴
사정방%단문광%오소산%장봉명
氮化硅%PECVD%光致发光%硅悬挂键%硅纳米团簇
氮化硅%PECVD%光緻髮光%硅懸掛鍵%硅納米糰簇
담화규%PECVD%광치발광%규현괘건%규납미단족
采用直流等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在(100)单晶硅片表面生长富硅氮化硅薄膜,研究了不同的退火温度对氮化硅薄膜发光性质和结构的影响.研究发现,随着退火温度的升高,氮化硅薄膜的发光强度逐渐减弱,发光是由缺陷能级引起的,在900℃时荧光基本消失.XPS测试表明,在N2氛围900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析出,故未表现出硅量子点的发光.FTIR测试也为PL结论提供了一定的证据.
採用直流等離子體增彊化學氣相沉積(PECVD)法在(100)單晶硅片錶麵生長富硅氮化硅薄膜,研究瞭不同的退火溫度對氮化硅薄膜髮光性質和結構的影響.研究髮現,隨著退火溫度的升高,氮化硅薄膜的髮光彊度逐漸減弱,髮光是由缺陷能級引起的,在900℃時熒光基本消失.XPS測試錶明,在N2氛圍900℃下退火,氮化硅薄膜中未有硅相析齣,故未錶現齣硅量子點的髮光.FTIR測試也為PL結論提供瞭一定的證據.
채용직류등리자체증강화학기상침적(PECVD)법재(100)단정규편표면생장부규담화규박막,연구료불동적퇴화온도대담화규박막발광성질화결구적영향.연구발현,수착퇴화온도적승고,담화규박막적발광강도축점감약,발광시유결함능급인기적,재900℃시형광기본소실.XPS측시표명,재N2분위900℃하퇴화,담화규박막중미유규상석출,고미표현출규양자점적발광.FTIR측시야위PL결론제공료일정적증거.
