化学物理学报
化學物理學報
화학물이학보
CHINESE JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
2004年
5期
633-636
,共4页
宁吉强%杨碚芳%傅正平%王震%张庶元
寧吉彊%楊碚芳%傅正平%王震%張庶元
저길강%양배방%부정평%왕진%장서원
溶剂热合成%碳化硅%过饱和度
溶劑熱閤成%碳化硅%過飽和度
용제열합성%탄화규%과포화도
采用SiCl4、 CCl4和金属K体系,以溶剂热合成法在高压釜中制备了碳化硅(SiC)单晶材料.通过X射线粉末衍射(XRD)、 Raman光谱和透射电子显微镜(TEM)对产物进行了表征.其中XRD数据显示所得产物为碳化硅.TEM结果表明,采用不同剂量的金属K,所得产物分别为丝状和片状的SiC单晶.SiC单晶丝直径为10～20 nm,长度可达1.5 μm; SiC晶片的横向尺寸为0.1～3 μm,具有规则多面体外形,显示阶梯状生长侧面.此外,对SiC单晶材料的生长机理进行了讨论,研究了过饱和度对SiC晶体生长和形貌的影响.
採用SiCl4、 CCl4和金屬K體繫,以溶劑熱閤成法在高壓釜中製備瞭碳化硅(SiC)單晶材料.通過X射線粉末衍射(XRD)、 Raman光譜和透射電子顯微鏡(TEM)對產物進行瞭錶徵.其中XRD數據顯示所得產物為碳化硅.TEM結果錶明,採用不同劑量的金屬K,所得產物分彆為絲狀和片狀的SiC單晶.SiC單晶絲直徑為10～20 nm,長度可達1.5 μm; SiC晶片的橫嚮呎吋為0.1～3 μm,具有規則多麵體外形,顯示階梯狀生長側麵.此外,對SiC單晶材料的生長機理進行瞭討論,研究瞭過飽和度對SiC晶體生長和形貌的影響.
채용SiCl4、 CCl4화금속K체계,이용제열합성법재고압부중제비료탄화규(SiC)단정재료.통과X사선분말연사(XRD)、 Raman광보화투사전자현미경(TEM)대산물진행료표정.기중XRD수거현시소득산물위탄화규.TEM결과표명,채용불동제량적금속K,소득산물분별위사상화편상적SiC단정.SiC단정사직경위10～20 nm,장도가체1.5 μm; SiC정편적횡향척촌위0.1～3 μm,구유규칙다면체외형,현시계제상생장측면.차외,대SiC단정재료적생장궤리진행료토론,연구료과포화도대SiC정체생장화형모적영향.
