贵州大学学报（自然科学版）
貴州大學學報（自然科學版）
귀주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF GUIZHOU UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2009年
1期
31-35
,共5页
王晓允%张荣涛%于示强%秦朝建
王曉允%張榮濤%于示彊%秦朝建
왕효윤%장영도%우시강%진조건
光致荧光%多孔硅%陷阱态
光緻熒光%多孔硅%陷阱態
광치형광%다공규%함정태
纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间,发光强度有显著的增加.我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中.PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释.其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件.
納晶硅氧化以後的PL髮光帶中心明顯地釘扎在690nm～750nm波長之間,髮光彊度有顯著的增加.我們通過研究納晶硅氧化後化學鍵結構的改變和對應能帶結構的變化,錶明在較小呎吋納晶硅的氧化過程中,有Si-O-Si橋鍵和Si=O雙鍵的形成,產生對應的電子陷阱態齣現在帶隙中.PL髮光的增彊和中心波長的釘扎效應可以用納晶硅中的量子受限理論和帶隙中的陷阱態模型來解釋.其中,陷阱態的位置低于量子受限激髮態的位置是PL髮光齣現釘扎與增彊效應的必要條件.
납정규양화이후적PL발광대중심명현지정찰재690nm～750nm파장지간,발광강도유현저적증가.아문통과연구납정규양화후화학건결구적개변화대응능대결구적변화,표명재교소척촌납정규적양화과정중,유Si-O-Si교건화Si=O쌍건적형성,산생대응적전자함정태출현재대극중.PL발광적증강화중심파장적정찰효응가이용납정규중적양자수한이론화대극중적함정태모형래해석.기중,함정태적위치저우양자수한격발태적위치시PL발광출현정찰여증강효응적필요조건.
