微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
2期
146-149,154
,共5页
庄海孝%马成炎%叶甜春%孟新
莊海孝%馬成炎%葉甜春%孟新
장해효%마성염%협첨춘%맹신
GPS接收机%射频前端%低噪声混频器
GPS接收機%射頻前耑%低譟聲混頻器
GPS접수궤%사빈전단%저조성혼빈기
为了克服混频器噪声对GPS接收机灵敏度造成的影响,设计了一种应用于GPS射频前端的低噪声混频器电路.采用自偏置缓冲级放大本振信号,有效地提高了电路性能.该混频器的转换增益为23 dB,噪声系数为4.55 dB,3阶交调点为-9.36 dBm,在1.57 GHz到1.6 GHz频段上,反射系数S11小于-15 dB,电路采用1.8 V电压供电;混频器核心电路静态工作电流1.2 mA,采用CMOS 0.18 μm工艺实现,芯片版图面积为160μm×360μm.
為瞭剋服混頻器譟聲對GPS接收機靈敏度造成的影響,設計瞭一種應用于GPS射頻前耑的低譟聲混頻器電路.採用自偏置緩遲級放大本振信號,有效地提高瞭電路性能.該混頻器的轉換增益為23 dB,譟聲繫數為4.55 dB,3階交調點為-9.36 dBm,在1.57 GHz到1.6 GHz頻段上,反射繫數S11小于-15 dB,電路採用1.8 V電壓供電;混頻器覈心電路靜態工作電流1.2 mA,採用CMOS 0.18 μm工藝實現,芯片版圖麵積為160μm×360μm.
위료극복혼빈기조성대GPS접수궤령민도조성적영향,설계료일충응용우GPS사빈전단적저조성혼빈기전로.채용자편치완충급방대본진신호,유효지제고료전로성능.해혼빈기적전환증익위23 dB,조성계수위4.55 dB,3계교조점위-9.36 dBm,재1.57 GHz도1.6 GHz빈단상,반사계수S11소우-15 dB,전로채용1.8 V전압공전;혼빈기핵심전로정태공작전류1.2 mA,채용CMOS 0.18 μm공예실현,심편판도면적위160μm×360μm.
