特征工艺尺寸对CMOS SRAM 抗单粒子翻转性能的影响
특정공예척촌대CMOS SRAM 항단입자번전성능적영향
Impact of Technology Trends on Single Event Upset Resistance of CMOS SRAM
  • 万方数据
    原子能科学技术 원자능과학기술
    ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
    2010年 2期 215-219 ,共5页

    张科营%郭红霞%罗尹虹%何宝平%姚志斌%张凤祁%王园明

    장과영%곽홍하%라윤홍%하보평%요지빈%장봉기%왕완명

    特征尺寸%临界电荷%LET阈值%单粒子翻转%CMOS SRAM 特徵呎吋%臨界電荷%LET閾值%單粒子翻轉%CMOS SRAM
    특정척촌%림계전하%LET역치%단입자번전%CMOS SRAM
    采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因.研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低.
    채용TCAD공예모의공구안조등비례축소규칙구건료종아미미도초심아미미급7충불동특정척촌적MOS정체관,계산료유저사정체관조성적정태수궤존저기(SRAM)단입자번전적림계전하Qcrit、LET역치(LETth),건립료LETth여림계전하지간적해석관계,연구료특정공예척촌대CMOS SRAM항단입자번전성능적영향급원인.연구표명:수착특정척촌적감소,SRAM단원단입자번전적림계전하감소,전하수집효솔유우기생쌍겁정체관효응이증가,조성LETth수특정척촌축소이신속감소,CMOS SRAM항단입자번전성능신속강저.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문