微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
9期
525-531
,共7页
单电子晶体管%量子效应%库仑阻塞%负微分电阻%多值逻辑
單電子晶體管%量子效應%庫崙阻塞%負微分電阻%多值邏輯
단전자정체관%양자효응%고륜조새%부미분전조%다치라집
SET/CMOS作为一种单电子晶体管与纳米级CMOS混合结构的新兴纳米电子器件,不仅实现两者优势互补,而且其突出的功能特性极大影响着电路微型化发展的道路.从SET/CMOS的串联和并联两种基本结构出发,阐述了各自的工作原理与特性、进而介绍了该混合器件目前在实验室制备、电路设计以及数值模拟研究方面的现状,最后讨论了器件在发展中尚需解决的问题及其应用前景.SET/CMOS的容错电路及互连结构新型设计将会加速实用化的进程,使集成电路产生质的飞跃,进而有望实现超高密度的信息存储和超高速信息处理,并将在未来智能计算机、通信设备和自动化方面发挥重要作用.
SET/CMOS作為一種單電子晶體管與納米級CMOS混閤結構的新興納米電子器件,不僅實現兩者優勢互補,而且其突齣的功能特性極大影響著電路微型化髮展的道路.從SET/CMOS的串聯和併聯兩種基本結構齣髮,闡述瞭各自的工作原理與特性、進而介紹瞭該混閤器件目前在實驗室製備、電路設計以及數值模擬研究方麵的現狀,最後討論瞭器件在髮展中尚需解決的問題及其應用前景.SET/CMOS的容錯電路及互連結構新型設計將會加速實用化的進程,使集成電路產生質的飛躍,進而有望實現超高密度的信息存儲和超高速信息處理,併將在未來智能計算機、通信設備和自動化方麵髮揮重要作用.
SET/CMOS작위일충단전자정체관여납미급CMOS혼합결구적신흥납미전자기건,불부실현량자우세호보,이차기돌출적공능특성겁대영향착전로미형화발전적도로.종SET/CMOS적천련화병련량충기본결구출발,천술료각자적공작원리여특성、진이개소료해혼합기건목전재실험실제비、전로설계이급수치모의연구방면적현상,최후토론료기건재발전중상수해결적문제급기응용전경.SET/CMOS적용착전로급호련결구신형설계장회가속실용화적진정,사집성전로산생질적비약,진이유망실현초고밀도적신식존저화초고속신식처리,병장재미래지능계산궤、통신설비화자동화방면발휘중요작용.