电子科技
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전자과기
IT AGE
2011年
1期
115-117,120
,共4页
丁杰%胡善文%张晓东%高怀
丁傑%鬍善文%張曉東%高懷
정걸%호선문%장효동%고부
集电结电容%异质结双极晶体管%功率放大器%非线性
集電結電容%異質結雙極晶體管%功率放大器%非線性
집전결전용%이질결쌍겁정체관%공솔방대기%비선성
GaAs HBT是设计微波单片功率放大器的主要工艺之一,而集电结电容C_(BC)是HBT功率放大器产生非线性的主要参量.文中采用Gummel-Poon晶体管模型分析了HBT C_(BC)随电路偏置变化的规律,给出了C_(BC)随输入功率的变化趋势,并基于Microwave Office软件进行了仿真验证.理论分析及仿真结果表明:C_(BC)随输入信号功率的增大而增大,是功率放大器产生幅度和相位失真的主要原因,最后通过电路设计及测试验证了理论分析及仿真的正确性.
GaAs HBT是設計微波單片功率放大器的主要工藝之一,而集電結電容C_(BC)是HBT功率放大器產生非線性的主要參量.文中採用Gummel-Poon晶體管模型分析瞭HBT C_(BC)隨電路偏置變化的規律,給齣瞭C_(BC)隨輸入功率的變化趨勢,併基于Microwave Office軟件進行瞭倣真驗證.理論分析及倣真結果錶明:C_(BC)隨輸入信號功率的增大而增大,是功率放大器產生幅度和相位失真的主要原因,最後通過電路設計及測試驗證瞭理論分析及倣真的正確性.
GaAs HBT시설계미파단편공솔방대기적주요공예지일,이집전결전용C_(BC)시HBT공솔방대기산생비선성적주요삼량.문중채용Gummel-Poon정체관모형분석료HBT C_(BC)수전로편치변화적규률,급출료C_(BC)수수입공솔적변화추세,병기우Microwave Office연건진행료방진험증.이론분석급방진결과표명:C_(BC)수수입신호공솔적증대이증대,시공솔방대기산생폭도화상위실진적주요원인,최후통과전로설계급측시험증료이론분석급방진적정학성.
