功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2011年
5期
846-849
,共4页
罗子江%周勋%杨再荣%贺业全%何浩%邓朝勇%丁召
囉子江%週勛%楊再榮%賀業全%何浩%鄧朝勇%丁召
라자강%주훈%양재영%하업전%하호%산조용%정소
MBE%RHEED%STM%InGaAs异质薄膜
MBE%RHEED%STM%InGaAs異質薄膜
MBE%RHEED%STM%InGaAs이질박막
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.
利用分子束外延技術,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs異質薄膜,通過RHEED圖像縯變實時鑑控薄膜生長狀況,採用RHEED彊度振盪測量薄膜生長速率,確定薄膜中In/Ga的組分比,併提齣控製InGaAs薄膜中In/Ga組分比的生長方法.根據RHEED圖像,指齣穫得的InGaAs薄膜處于(2×3)錶麵重構相.樣品經過淬火至室溫後對樣品做STM掃描分析,證實樣品為錶麵原子級平整的InGaAs/GaAs異質薄膜.
이용분자속외연기술,재GaAs(001)기편상외연InGaAs/GaAs이질박막,통과RHEED도상연변실시감공박막생장상황,채용RHEED강도진탕측량박막생장속솔,학정박막중In/Ga적조분비,병제출공제InGaAs박막중In/Ga조분비적생장방법.근거RHEED도상,지출획득적InGaAs박막처우(2×3)표면중구상.양품경과쉬화지실온후대양품주STM소묘분석,증실양품위표면원자급평정적InGaAs/GaAs이질박막.
