高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2003年
10期
1887-1891
,共5页
张其震%刘建强%殷晓颖%张静智%李光%赵晓光%季怡萍
張其震%劉建彊%慇曉穎%張靜智%李光%趙曉光%季怡萍
장기진%류건강%은효영%장정지%리광%조효광%계이평
树状化合物%液晶%向列相%高强向错%碳硅烷
樹狀化閤物%液晶%嚮列相%高彊嚮錯%碳硅烷
수상화합물%액정%향렬상%고강향착%탄규완
用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1), 并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、 DSC和WAXD对产物进行表征. 结果表明, D1为向列相, 与M3相同, 树状物相态由介晶基元相态决定, D1的液晶态相行为: K92N126I124N78K, D1熔点比M3降低了24～30 ℃, D1清亮点比M3提高了6～8 ℃, D1液晶态温区比M3加宽30～38 ℃, 在树状物中观察到S=+2的高强向错.
用髮散法閤成瞭週邊含12箇己氧基偶氮苯介晶基元(M3)耑基的樹狀碳硅烷(D1), 併用元素分析、氫譜、激光質譜、紅外光譜、紫外-可見光譜、偏光顯微鏡、 DSC和WAXD對產物進行錶徵. 結果錶明, D1為嚮列相, 與M3相同, 樹狀物相態由介晶基元相態決定, D1的液晶態相行為: K92N126I124N78K, D1鎔點比M3降低瞭24～30 ℃, D1清亮點比M3提高瞭6～8 ℃, D1液晶態溫區比M3加寬30～38 ℃, 在樹狀物中觀察到S=+2的高彊嚮錯.
용발산법합성료주변함12개기양기우담분개정기원(M3)단기적수상탄규완(D1), 병용원소분석、경보、격광질보、홍외광보、자외-가견광보、편광현미경、 DSC화WAXD대산물진행표정. 결과표명, D1위향렬상, 여M3상동, 수상물상태유개정기원상태결정, D1적액정태상행위: K92N126I124N78K, D1용점비M3강저료24～30 ℃, D1청량점비M3제고료6～8 ℃, D1액정태온구비M3가관30～38 ℃, 재수상물중관찰도S=+2적고강향착.
