光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2004年
2期
142-146
,共5页
郭斌%吴春亚%孟志国%林立旻%杨广华%李娟%周祯华%熊绍珍
郭斌%吳春亞%孟誌國%林立旻%楊廣華%李娟%週禎華%熊紹珍
곽빈%오춘아%맹지국%림립민%양엄화%리연%주정화%웅소진
有机发光二极管(OLED)%多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)%有源矩阵(AM)%poly-Si TFT/OLED耦合对%电流编程驱动%电流镜
有機髮光二極管(OLED)%多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)%有源矩陣(AM)%poly-Si TFT/OLED耦閤對%電流編程驅動%電流鏡
유궤발광이겁관(OLED)%다정규박막정체관(poly-Si TFT)%유원구진(AM)%poly-Si TFT/OLED우합대%전류편정구동%전류경
模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT)有源矩阵有机发光二极管(AM-LOED)像素单元的poly-Si TFT/OLED耦合对的J-V特性和poly-Si TFT电流镜的I-V特性.使用Mathcad数学计算软件和AIM-SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算.理论上,采用电流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解决器件间的不一致性问题.无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善.因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly-Si TFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化.结果表明,poly-Si TFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200 A/m2下不超过8 V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5 μA时饱和电压只有1.5～2.5 V.
模擬和分析瞭作為電流模式多晶硅薄膜晶體管(poly-Si TFT)有源矩陣有機髮光二極管(AM-LOED)像素單元的poly-Si TFT/OLED耦閤對的J-V特性和poly-Si TFT電流鏡的I-V特性.使用Mathcad數學計算軟件和AIM-SPICE電路模擬工具,分彆對OLED和TFT耦閤對和TFT電流鏡進行瞭模擬計算.理論上,採用電流模式的poly-Si TFT AM-OLED可以解決器件間的不一緻性問題.無論遷移率的不一緻還是閾值電壓Vth的差異都可以被補償,從而使灰度的一緻性得以改善.因為採用瞭倒置的OLED結構,可以用N型poly-Si TFT作為電流阱來驅動OLED,所以像素的性能進一步優化.結果錶明,poly-Si TFT/OLED耦閤對的驅動電壓低,在200 A/m2下不超過8 V;而TFT電流鏡的跟隨能力很好,在0.0～2.5 μA時飽和電壓隻有1.5～2.5 V.
모의화분석료작위전류모식다정규박막정체관(poly-Si TFT)유원구진유궤발광이겁관(AM-LOED)상소단원적poly-Si TFT/OLED우합대적J-V특성화poly-Si TFT전류경적I-V특성.사용Mathcad수학계산연건화AIM-SPICE전로모의공구,분별대OLED화TFT우합대화TFT전류경진행료모의계산.이론상,채용전류모식적poly-Si TFT AM-OLED가이해결기건간적불일치성문제.무론천이솔적불일치환시역치전압Vth적차이도가이피보상,종이사회도적일치성득이개선.인위채용료도치적OLED결구,가이용N형poly-Si TFT작위전류정래구동OLED,소이상소적성능진일보우화.결과표명,poly-Si TFT/OLED우합대적구동전압저,재200 A/m2하불초과8 V;이TFT전류경적근수능력흔호,재0.0～2.5 μA시포화전압지유1.5～2.5 V.
