电子科技大学学报
電子科技大學學報
전자과기대학학보
JOURNAL OF UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA
2006年
4期
500-502,506
,共4页
高秀英%邬劭轶%魏望和%颜微子
高秀英%鄔劭軼%魏望和%顏微子
고수영%오소질%위망화%안미자
缺陷结构%电子顺磁共振%晶体场和配位场理论%重叠模型
缺陷結構%電子順磁共振%晶體場和配位場理論%重疊模型
결함결구%전자순자공진%정체장화배위장이론%중첩모형
基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上Vc间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z.根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好.
基于離子簇近似下四角場中3d3離子EPR參量的微擾公式,通過配位場方法對LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷結構和EPR參量進行瞭理論研究,提齣V2+在LiF和AgCl中的缺陷結構模型,即處于雜質離子與C4軸方嚮上Vc間的配體將由于VC的靜電排斥作用而朝靠近雜質離子的方嚮上位移一段距離△Z.根據上述缺陷結構模型得到的EPR參量理論值與實驗值吻閤較好.
기우리자족근사하사각장중3d3리자EPR삼량적미우공식,통과배위장방법대LiF화AgCl중사각V2+중심적결함결구화EPR삼량진행료이론연구,제출V2+재LiF화AgCl중적결함결구모형,즉처우잡질리자여C4축방향상Vc간적배체장유우VC적정전배척작용이조고근잡질리자적방향상위이일단거리△Z.근거상술결함결구모형득도적EPR삼량이론치여실험치문합교호.
