发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
465-469
,共5页
王双江%吴惠桢%金国芬%张莹莹%陈笑松%徐天宁
王雙江%吳惠楨%金國芬%張瑩瑩%陳笑鬆%徐天寧
왕쌍강%오혜정%금국분%장형형%진소송%서천저
氮掺杂氧化锌薄膜%原子力显微镜%X射线衍射%光致发光光谱%电阻率
氮摻雜氧化鋅薄膜%原子力顯微鏡%X射線衍射%光緻髮光光譜%電阻率
담참잡양화자박막%원자력현미경%X사선연사%광치발광광보%전조솔
采用气体反应电子束蒸发法,氨气氛下在玻璃上沉积了氮掺杂氧化锌(ZnO)薄膜.AFM观察发现氨气氛下生长的氮掺杂氧化锌薄膜表面比未掺杂样品的粗糙度略高,且随氨气压的增加粗糙度也随之增加,这可能与氨气氛对ZnO生长表面的轻微腐蚀作用有关,但表面依然比较平整.XRD分析显示,(0002)衍射峰位没有发生移动,但是氮掺杂后衍射峰的线宽比未掺杂样品稍有增加,衍射峰的半峰全宽由非掺杂ZnO的0.261°增加到0.427°.氧化锌掺氮后电阻率提高了4～7个数量级,达到了降低ZnO中电子浓度的目的.
採用氣體反應電子束蒸髮法,氨氣氛下在玻璃上沉積瞭氮摻雜氧化鋅(ZnO)薄膜.AFM觀察髮現氨氣氛下生長的氮摻雜氧化鋅薄膜錶麵比未摻雜樣品的粗糙度略高,且隨氨氣壓的增加粗糙度也隨之增加,這可能與氨氣氛對ZnO生長錶麵的輕微腐蝕作用有關,但錶麵依然比較平整.XRD分析顯示,(0002)衍射峰位沒有髮生移動,但是氮摻雜後衍射峰的線寬比未摻雜樣品稍有增加,衍射峰的半峰全寬由非摻雜ZnO的0.261°增加到0.427°.氧化鋅摻氮後電阻率提高瞭4～7箇數量級,達到瞭降低ZnO中電子濃度的目的.
채용기체반응전자속증발법,안기분하재파리상침적료담참잡양화자(ZnO)박막.AFM관찰발현안기분하생장적담참잡양화자박막표면비미참잡양품적조조도략고,차수안기압적증가조조도야수지증가,저가능여안기분대ZnO생장표면적경미부식작용유관,단표면의연비교평정.XRD분석현시,(0002)연사봉위몰유발생이동,단시담참잡후연사봉적선관비미참잡양품초유증가,연사봉적반봉전관유비참잡ZnO적0.261°증가도0.427°.양화자참담후전조솔제고료4～7개수량급,체도료강저ZnO중전자농도적목적.
